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掃描電子顯微鏡

時(shí)間:2023-10-26 14:29:48 來源: 點(diǎn)擊:

  


  掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)是一種用于高分辨率微區(qū)形貌分析的大型精密儀器。具有景深大、分辨率高,成像直觀、立體感強(qiáng)、放大倍數(shù)范圍寬以及待測(cè)樣品可在三維空間內(nèi)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)和傾斜等特點(diǎn)。另外具有可測(cè)樣品種類豐富,幾乎不損傷和污染原始樣品以及可同時(shí)獲得形貌、結(jié)構(gòu)、成分和結(jié)晶學(xué)信息等優(yōu)點(diǎn)。目前在化學(xué)領(lǐng)域特別是納米材料領(lǐng)域有著極為廣泛的應(yīng)用。

  二次電子像原理:

  二次電子是由于被入射電子“碰撞”而獲得能量,逃出樣品表面的核外電子,其主要特點(diǎn)是:

  (1)能量小于50eV,較易被檢測(cè)器前端的電場(chǎng)吸引,因而陰影效應(yīng)較弱。

  (2)只有樣品表面很淺(約10nm)的部分激發(fā)出的二次電子才能逃出樣品表面,因此二次電子像分辨率較高。

  (3)二次電子的產(chǎn)額主要取決于樣品表面局部斜率,因此二次電子像主要是形貌像。

  可看成由許多不同傾斜程度的面構(gòu)成的凸尖、臺(tái)階、凹坑等細(xì)節(jié)組成,這些細(xì)節(jié)的不同部位發(fā)射的二次電子數(shù)不同,從而產(chǎn)生襯度。

  二次電子像分辨率高、無(wú)明顯陰影效應(yīng)、場(chǎng)深大、立體感強(qiáng),是掃描電鏡的主要成像方式,特別適用于粗糙樣品表面的形貌觀察。

  背散射電子像原理:

  背散射電子是由樣品“反射”出來的入射電子,其主要特點(diǎn)是:

  (1)能量高,從50eV到接近入射電子的能量。

  (2)穿透能力比二次電子強(qiáng)得多,可從樣品中較深的區(qū)域逸出(微米級(jí)),在這樣的深度范圍,入射電子已有相當(dāng)寬的側(cè)向擴(kuò)展,因此在樣品中產(chǎn)生的范圍大,圖像分辨率較低;

  (3)背散射電子產(chǎn)額隨原子序數(shù)增大而明顯增加,即樣品平均原子序數(shù)Z大的部位產(chǎn)生較強(qiáng)的背散射電子信號(hào),在熒光屏上形成較亮的區(qū)域;而平均原子序數(shù)較低的部位則產(chǎn)生較少的背散射電子,在熒光屏上形成較暗的區(qū)域,這樣就形成原子序數(shù)襯度(成分襯度)。

  與二次電子像相比,背散射像的分辨率要低,主要應(yīng)用于樣品表面不同成分分布情況的觀察,比如有機(jī)無(wú)機(jī)混合物、合金等。

  但嚴(yán)格說,背散射電子也帶有形貌信息,尤其是,由于能量高,背散射電子可以認(rèn)為是直線行進(jìn),因而有明顯的陰影效應(yīng),對(duì)于形貌起伏較大的樣品表面,立體感甚至優(yōu)于二次電子像。


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